Liujinlong
刘金龙,李成明,张营营,陈良贤, 黑立富,吕反修. 一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法。专利号:ZL201010578837.6。
刘金龙,李成明,陈良贤,化称意,郭建超,闫雄伯,黑立富,魏俊俊。一种金刚石膜表面选区扩散形成 P-N 结的制备方法。专利号:ZL201410738255.8。
刘金龙,李成明,陈良贤,郭建超,闫雄伯,魏俊俊,黑立富。一种 GaN/金刚石膜复合片的制备方法。专利号:ZL201410498719.2。
刘金龙,李成明,苗建印,李振宇,魏俊俊,陈良贤,黑立富,张建军,闫雄伯。一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法。专利号:ZL201510406256.7。
刘金龙,李成明,林亮珍,郑宇亭,赵云,闫雄伯,陈良贤,魏俊俊,黑立富,张建军。基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法。专利号:ZL201710556211.7。
刘金龙,郭艳召,李成明,郑宇亭,原晓芦,安康,魏俊俊,陈良贤,一种CVD金刚石辐照探测器的封装体,专利号:ZL201821727169.7。
刘金龙,李成明,朱瑞华,陈良贤,魏俊俊,安康,吕反修,一种用于CVD金刚石材料力学性能的测试工装,专利号:ZL201821883867.6。
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