III族氮化物半导体薄膜与低维结构的原子层外延生长，新型氮化镓/二维体系异质结热电子晶体管，原子层沉积在太阳能电池、储能电池中的应用，发光二极管芯片设计与计算，薄膜物性表征与分析

• 在InGaN基半导体结构表征、太阳能电池器件物理和薄膜外延生长方面开展了具有特色并受到国际同行关注的研究工作。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在物理类综合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次评价，薄膜晶格常数测量方法被实际应用到研究工作并写入科学出版社专著章节，InGaN基太阳能电池受到2014年诺贝尔物理奖获得者S.Nakamura教授研究组的多次引用。截止目前，已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等国内外知名期刊上发表论文近八十篇，申请专利二十项（十一项授权）。曾担任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座编辑，是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半导体学报》等国内外期刊的审稿人。现担任中国电工技术学会半导体光源系统专业委员会委员。主持、参与的项目包括国家重点基础研究计划、国家自然科学基金、上海空间电源研究所、苏州市国际合作、与日本索尼公司国际合作、横向项目等。