聚焦宽禁带半导体与原子级二维半导体的结构设计、材料外延、光机电耦合与高频高压功率电子器件电路研究，主持国家自然科学基金、北京市自然科学基金、中科院青年创新促进会人才项目、中央高校学科建设经费等，曾参与完成核高基国家科技重大专项“xxx波段GaN高频功率器件”、国家基金委重大项目“毫米波GaN高频功率器件”等课题攻关。在Science Advances、Advanced Materials、Reports on Progress in Physics、ACS Nano、Nano Energy等期刊上发表创新成果80余篇，已获授权国家发明专利20余项，完成专利成果转移转化2项。

代表性论著：

1. M. Z. Peng, et al. Science Advances, 2021, 7(22): 0-eabe7738.

2. M. Z. Peng, et al. Reports on Progress in Physics, 2023, 86: 026402.

3. M. Z. Peng, et al. ACS Applied Materials & Interfaces, 2022, 14(14): 16866-16875

4. M. Z. Peng, et al. Journal of Materials Chemistry C, 2021, 9, 7982-7990.

5. M. Z. Peng, et al. ACS Nano, 2016, 10, 1572-1579.

6. M. Z. Peng, et al. ACS Nano, 2015, 9, 3143-3150.

7. M. Z. Peng, et al. Advanced Materials, 2014, 26, 6767-6772.

8. M. Z. Peng, et al. Mater. Horiz. 2017, 4, 274-280.

9. M. Z. Peng, et al. Nano Research. 2017, 10, 134-144.

10. M. Z. Peng, et al. Nano Energy. 2016, 26, 417-424.

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