发布时间:2024-07-18 点击次数:
Si3N4/SiO2范德瓦尔点接触界面热传输测量
Si3N4与SiO2 已广泛应用于锂电池和光学设备。器件集成带来的高能量密度使纳米尺度的界面热传输成为热点。为了优化界面传热,器件表面的粗糙度不断降低直至纳米级。然而,由于空间分辨率的限制,现有的测量手段很难实现纳米级接触情况下的界面热阻测量。测量结果往往与模拟结果存在很大差异,使得界面传热的优化缺乏实验验证。本文创新性利用改进后的3ω-SThM系统实现了纳米尺度Si3N4/SiO2界面热阻的测量。此外,还分析了空气传热通道对粗糙表面间传热的影响。目前取得的进展为测量纳米级点接触的界面热传输提供了有效的实验工具。
图 扫描热显微镜在测量真实表面接触与分子接触界面热阻所发挥的桥梁作用,以及3ω-SThM系统界面热阻测量原理
文章链接:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0017931024008093