北京科技大学主页平台管理系统魏俊俊--中文主页-- X. Jia, J.J. Wei*, Y.B. Huang, et al. Enhancement of diamond seeding on aluminum nitride dielectric by electrostatic adsorption for GaN-on-diamond preparation[J]. Journal of Materials Research, 2020, 35(5): 1-8.

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个人信息

魏俊俊Weijunjun

研究员（自然科学）

博士生导师

毕业院校：北京科技大学

学科：材料学

学历：研究生

学位：博士

所在单位：新材料技术研究院

职务：新材料技术研究院功能材料研究所所长

同专业博导

论文成果

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X. Jia, J.J. Wei*, Y.B. Huang, et al. Enhancement of diamond seeding on aluminum nitride dielectric by electrostatic adsorption for GaN-on-diamond preparation[J]. Journal of Materials Research, 2020, 35(5): 1-8.

发布时间：2022-04-13 点击次数：

是否译文：否

上一条：X. Jia, J.J. Wei*, Y.C. Kong, et al, The influence of dielectric layer on the thermal boundary resistance of GaN-on-diamond substrate[J], Surface and Interface Analysis, 2019, 51(7):783-790.

下一条：Z.N Qi, Y.T.Zheng, X.H. Zhu, J.J. Wei*, et al.An ultra-thick all-diamond microchannel heat sink for single-phase heat transmission efficiency enhancement[J], Vacuum, 2020, 177: 109377.