Heterovalent-doping-enabled atom-displacement fluctuation leads to ultrahigh energy-storage density in AgNbO3-based multilayer capacitors
发布时间：2023-06-06 点击次数：
影响因子：17.694
DOI码：10.1038/s41467-023-36919-w
发表刊物：Nature Communications
合写作者：Gen Li,Qi Wang,Linhai Li,He Qi,Jun Chen
第一作者：Li-Feng Zhu#,Lei Zhao#
通讯作者：Shiqing Deng*,Yongke Yan*,Bo-Ping Zhang*,Jing-Feng Li*
论文编号：1166
卷号：14
页面范围：1166
是否译文：否
发表时间：2023-01-01
收录刊物：SCI