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李成明，郑宇亭，林亮珍，赵云，刘金龙，魏俊俊，陈良贤，黑立富，单晶金刚石表面原位n型半导体化全碳结构的制备方法，ZL201710363710.4，2017-05-22，发明专利，授权，公告日：2019-08-27。

Release time:2022-04-14 Hits:

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